رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP10N60NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP10N60NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12838468
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP10N60NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET-II™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1475 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
185W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP4N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
232
DiGi رقم الجزء
IXTP4N65X2-DG
سعر الوحدة
1.12
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP9N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
STP9N60M2-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT10N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
769
DiGi رقم الجزء
AOT10N60-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP5N50C
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FCPF190N60-F152
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
