رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDPF51N25YDTU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDPF51N25YDTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
المخزون:
12846846
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDPF51N25YDTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
51A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3410 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3 (Y-Forming)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
FDPF51
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2832-FDPF51N25YDTU
2832-FDPF51N25YDTU-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCX511N25
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
155
DiGi رقم الجزء
RCX511N25-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD8896
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
FDMS7672
MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8PQFN
CPH3360-TL-H
MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH
