رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDPF8D5N10C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDPF8D5N10C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 76A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
995 قطع جديدة أصلية في المخزون
12848768
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDPF8D5N10C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
76A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 130µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2475 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta), 35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FDPF8
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2832-FDPF8D5N10C
2832-FDPF8D5N10C-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CPH6341-TL-E
MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
FCPF2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
AO4310
MOSFET N-CH 36V 27A 8SOIC
