رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS3512
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS3512-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12837422
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS3512 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
634 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS35
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS3512TR
1990-FDS3512TR
FDS3512-DG
1990-FDS3512CT
2832-FDS3512TR
FDS3512CT
1990-FDS3512DKR
FDS3512DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS3590
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1843
DiGi رقم الجزء
FDS3590-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS3512
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDS3512-DG
سعر الوحدة
1.06
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
RS6N120BHTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1763
DiGi رقم الجزء
RS6N120BHTB1-DG
سعر الوحدة
1.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
FDP15N50
MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
IRF630B_FP001
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
