رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS8958
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS8958-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 7A, 5A 2W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12840389
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS8958 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A, 5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
789pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS89
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9389TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
16231
DiGi رقم الجزء
IRF9389TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS8958A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
613
DiGi رقم الجزء
FDS8958A-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS8958B
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
34375
DiGi رقم الجزء
FDS8958B-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SP8M10FRATB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1181
DiGi رقم الجزء
SP8M10FRATB-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA76413DK8T
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC
MCH6606-TL-E
MOSFET PCH DUAL MCPH6
NTND3184NZTAG
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A 6XLLGA
