FDT458P

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDT458P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDT458P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4

وصف تفصيلي:

P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

المخزون:

5713 قطع جديدة أصلية في المخزون

12839270

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

JHxz

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDT458P المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

3.4A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

3.5 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

205 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SOT-223-4

العبوة / العلبة

TO-261-4, TO-261AA

رقم المنتج الأساسي

FDT458

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

4,000

اسماء اخرى

FDT458P-DG

FDT458PCT

FDT458PDKR

FDT458PTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

infineon-technologies

AUIRLR3110Z

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

onsemi

FQD30N06TF

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

infineon-technologies

AUIRF5210STRL

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

onsemi

FQPF7N10

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F