رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDY100PZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDY100PZ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
المخزون:
14832 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851043
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDY100PZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
350mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
100 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-89-3
العبوة / العلبة
SC-89, SOT-490
رقم المنتج الأساسي
FDY100
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDY100PZTR
FDY100PZCT
FDY100PZDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI1013X-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
20598
DiGi رقم الجزء
SI1013X-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDY102PZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
71863
DiGi رقم الجزء
FDY102PZ-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS6612A
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
FQAF17N40
MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF
IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
