رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD6530A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD6530A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 3.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12851050
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD6530A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.3W (Ta), 33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD653
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD6530ADKR
FDD6530ATR
FDD6530ACT
FDD6530A-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMC86260ET150
MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
FDD5810-F085
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
HUF76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
