رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQA28N50
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQA28N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 28.4A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3P
المخزون:
12846261
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQA28N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
28.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
310W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FQA2
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW28NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
144
DiGi رقم الجزء
STW28NM50N-DG
سعر الوحدة
3.81
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW26NM50
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
364
DiGi رقم الجزء
STW26NM50-DG
سعر الوحدة
6.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDA28N50
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
53
DiGi رقم الجزء
FDA28N50-DG
سعر الوحدة
2.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOT430
MOSFET N-CH 75V 80A TO220
AOY516
MOSFET N-CH 30V 46A TO251B
FQD4P25TM
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
