رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF10N20
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF10N20-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 6.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
12846880
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF10N20 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
670 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FQPF1
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RCX100N25
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
429
DiGi رقم الجزء
RCX100N25-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP030N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRF634B-FP001
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
FDD8444L
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA