الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSV20101JT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSV20101JT1G-DG
وصف:
TRANS NPN 20V 1A SC89-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 1 A 350MHz 255 mW Surface Mount SC-89-3
المخزون:
2990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12860335
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSV20101JT1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
20 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
220mV @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 100mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
255 mW
التردد - الانتقال
350MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-89, SOT-490
حزمة جهاز المورد
SC-89-3
رقم المنتج الأساسي
NSV20101
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NSS20101J
مخططات البيانات
NSV20101JT1G
ورقة بيانات HTML
NSV20101JT1G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-NSV20101JT1G-OS
488-NSV20101JT1GTR
488-NSV20101JT1GCT
ONSONSNSV20101JT1G
488-NSV20101JT1GDKR
NSV20101JT1G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
SNSS20101JT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2997
DiGi رقم الجزء
SNSS20101JT1G-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
NSS20101JT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
19804
DiGi رقم الجزء
NSS20101JT1G-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
NSV20101JT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2990
DiGi رقم الجزء
NSV20101JT1G-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DSC2C01R0L
TRANS NPN 100V 0.02A MINI3
NSS20500UW3TBG
TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
NSV40200UW6T1G
TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
DSC500200L
TRANS NPN 50V 0.5A SMINI3