الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSVBC114EDXV6T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSVBC114EDXV6T1G-DG
وصف:
TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
المخزون:
3496 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938890
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSVBC114EDXV6T1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
35 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-563
رقم المنتج الأساسي
NSVBC114
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
MUN5211DW1, NSBC114EDxx
مخططات البيانات
NSVBC114EDXV6T1G
ورقة بيانات HTML
NSVBC114EDXV6T1G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
488-NSVBC114EDXV6T1GTR
488-NSVBC114EDXV6T1GCT
NSVBC114EDXV6T1G-DG
488-NSVBC114EDXV6T1GDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PEMD3,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
PEMD3,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN4982FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3035
DiGi رقم الجزء
RN4982FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN1902FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
22
DiGi رقم الجزء
RN1902FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMH11,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7980
DiGi رقم الجزء
PEMH11,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMH11T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
27909
DiGi رقم الجزء
EMH11T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NSVMUN5212DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
NSVBC124EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
DMG9640N0R
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
NSBC114YPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563