رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN4982FE,LF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN4982FE,LF(CT-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
المخزون:
3035 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889638
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN4982FE,LF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN4982
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN4982FE(T5LFT)CT
RN4982FELF(CBDKR
RN4982FELF(CBDKR-DG
RN4982FELF(CTDKR
RN4982FELF(CBCT
RN4982FELF(CBCT-DG
RN4982FELF(CTTR
RN4982FE,LF(CB
RN4982FE(T5LFT)TR
RN4982FE(T5LFT)DKR-DG
RN4982FE(T5L,F,T)
RN4982FELF(CBTR-DG
RN4982FE(T5LFT)DKR
RN4982FELF(CTCT
RN4982FELF(CBTR
RN4982FE(T5LFT)TR-DG
RN4982FE(T5LFT)CT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PEMD3,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
PEMD3,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMH11,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7980
DiGi رقم الجزء
PEMH11,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NSBC114EDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
12000
DiGi رقم الجزء
NSBC114EDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMH11T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
27909
DiGi رقم الجزء
EMH11T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMD3,315
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
PEMD3,315-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2965(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2907,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN4984(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6