رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTB18N06LT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTB18N06LT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12856636
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTB18N06LT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 7.5A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NTB18
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
NTB18N06LT4GOS
NTB18N06LT4GOSCT
NTB18N06LT4GOSDKR
NTB18N06LT4GOSTR
NTB18N06LT4GOS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB16NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
STB16NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFZ24STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFZ24STRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RJK0346DPA-01#J0B
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
NTA7002NT1
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
NTB45N06T4G
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
