رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTHL099N60S5
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTHL099N60S5-DG
وصف:
NTHL099N60S5
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 184W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
302 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966313
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTHL099N60S5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® V
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
99mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 2.8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
184W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
488-NTHL099N60S5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
NTMTS1D6N10MCTXG
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
