رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS6H801NLT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS6H801NLT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 24A (Ta), 160A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
984 قطع جديدة أصلية في المخزون
12938221
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS6H801NLT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Ta), 160A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5126 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NTMFS6H801NLT1GTR
488-NTMFS6H801NLT1GCT
488-NTMFS6H801NLT1GDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS6H801NLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVMFS6H801NLT1G-DG
سعر الوحدة
1.01
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
XPN6R706NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
XPH3R114MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
