رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMJS0D9N04CLTWG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMJS0D9N04CLTWG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 50A (Ta), 330A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
المخزون:
12858114
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMJS0D9N04CLTWG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Ta), 330A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.82mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 190µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8862 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-LFPAK
العبوة / العلبة
SOT-1205, 8-LFPAK56
رقم المنتج الأساسي
NTMJS0
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NTMJS0D9N04CLTWGOSDKR
NTMJS0D9N04CLTWGOSTR
NTMJS0D9N04CLTWG-DG
NTMJS0D9N04CLTWGOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMJS0D9N04CLTWG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2999
DiGi رقم الجزء
NVMJS0D9N04CLTWG-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UPA2815T1S-E2-AT
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
NVTFS5C478NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
NTD70N03R
MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
