رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMJS0D9N04CLTWG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMJS0D9N04CLTWG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 50A (Ta), 330A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
المخزون:
2999 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840569
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMJS0D9N04CLTWG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Ta), 330A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.82mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 190µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8862 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-LFPAK
العبوة / العلبة
SOT-1205, 8-LFPAK56
رقم المنتج الأساسي
NVMJS0
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-NVMJS0D9N04CLTWGCT
488-NVMJS0D9N04CLTWGDKR
NVMJS0D9N04CLTWG-DG
2832-NVMJS0D9N04CLTWG
488-NVMJS0D9N04CLTWGTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMJS0D9N04CLTWG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2999
DiGi رقم الجزء
NVMJS0D9N04CLTWG-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCPF400N60
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
NTB85N03T4G
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
NCV8440ASTT1G
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
