NVMFS5C646NLAFT1G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NVMFS5C646NLAFT1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NVMFS5C646NLAFT1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 20A (Ta), 93A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

المخزون:

1300 قطع جديدة أصلية في المخزون
12856887
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NVMFS5C646NLAFT1G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta), 93A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2164 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS5

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
NVMFS5C646NL
مخططات البيانات
NVMFS5C646NLAFT1G
ورقة بيانات HTML
NVMFS5C646NLAFT1G-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
2156-NVMFS5C646NLAFT1G-OS
488-NVMFS5C646NLAFT1GDKR
ONSONSNVMFS5C646NLAFT1G
NVMFS5C646NLAFT1G-DG
2832-NVMFS5C646NLAFT1G
488-NVMFS5C646NLAFT1GTR
488-NVMFS5C646NLAFT1GCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
NVMFS5C646NLWFAFT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVMFS5C646NLWFAFT1G-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
RS6L120BGTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2236
DiGi رقم الجزء
RS6L120BGTB1-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RS6L090BGTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2206
DiGi رقم الجزء
RS6L090BGTB1-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NDBA100N10BT4H

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

infineon-technologies

IRFU220NPBF

MOSFET N-CH 200V 5A IPAK

renesas-electronics-america

NP40N10YDF-E1-AY

MOSFET N-CH 100V 40A 8HSON

onsemi

NVTFS4C08NTAG

MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN