رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS6B03NLWFT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS6B03NLWFT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 145A (Tc) 3.9W (Ta), 198W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12859851
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS6B03NLWFT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
145A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5320 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.9W (Ta), 198W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFWS3D6N10MCLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1569
DiGi رقم الجزء
NVMFWS3D6N10MCLT1G-DG
سعر الوحدة
1.61
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD4857N-1G
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
NVTFS6H880NWFTAG
MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
NDP4060
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
