رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMJS1D2N04CLTWG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMJS1D2N04CLTWG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 41A (Ta), 237A (Tc) 3.8W (Ta), 128W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
المخزون:
2990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847618
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMJS1D2N04CLTWG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
41A (Ta), 237A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 170µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 128W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-LFPAK
العبوة / العلبة
SOT-1205, 8-LFPAK56
رقم المنتج الأساسي
NVMJS1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NVMJS1D2N04CLTWG-DG
488-NVMJS1D2N04CLTWGCT
488-NVMJS1D2N04CLTWGTR
488-NVMJS1D2N04CLTWGDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMJS1D2N04CLTWG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2990
DiGi رقم الجزء
NVMJS1D2N04CLTWG-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVGS3130NT1G
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
FDAF75N28
MOSFET N-CH 280V 46A TO3PF
FDWS86068-F085
MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
