رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI9955DY
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI9955DY-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 50V 3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12847460
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI9955DY المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
345pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI9955
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI9955DYTR-NDR
SI9955DYCT
SI9955DYCT-NDR
SI9955DYDKR
SI9955DYTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7103TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
9567
DiGi رقم الجزء
IRF7103TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
AUIRF7103QTR
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AUIRF7103QTR-DG
سعر الوحدة
1.45
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTJD4152PT1
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
FD6M043N08
MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
FDD8424H-F085A
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
