الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI9955DY
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI9955DY-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 50V 3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12847460
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI9955DY المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
345pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI9955
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
SI9955DY
ورقة بيانات HTML
SI9955DY-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI9955DYTR-NDR
SI9955DYCT
SI9955DYCT-NDR
SI9955DYDKR
SI9955DYTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7103TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
9567
DiGi رقم الجزء
IRF7103TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
AUIRF7103QTR
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AUIRF7103QTR-DG
سعر الوحدة
1.45
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTJD4152PT1
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
FD6M043N08
MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15
FDD8424H-F085A
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
FDS4885C
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC