الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMC266010R
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMC266010R-DG
وصف:
TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12845622
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMC266010R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
35 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6
حزمة جهاز المورد
Mini6-G4-B
رقم المنتج الأساسي
DMC26601
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DMC266010RDKR
DMC266010R-DG
DMC266010RTR
DMC266010RCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN1607(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1271
DiGi رقم الجزء
RN1607(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PIMH9,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
PIMH9,115-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN5211DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
23861
DiGi رقم الجزء
MUN5211DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MUN5135DW1T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
DMC5640M0R
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
DMC564070R
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
DMA561010R
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5