RN1607(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN1607(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN1607(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6

المخزون:

1271 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889494
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN1607(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SM6
رقم المنتج الأساسي
RN1607

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN1607(TE85LF)DKR
RN1607(TE85LF)TR
RN1607(TE85LF)CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
PIMH9,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
PIMH9,115-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2602(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1910FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1970FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4901,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6