رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK2731T146
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK2731T146-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SMT3
المخزون:
6170 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524786
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK2731T146 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
25 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SMT3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
2SK2731
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2SK2731T146TR
2SK2731T146-ND
2SK2731T146CT
2SK2731T146DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SK2009TE85LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
2SK2009TE85LF-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN3730UFB4-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
20540
DiGi رقم الجزء
DMN3730UFB4-7-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMBF0201NLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13073
DiGi رقم الجزء
MMBF0201NLT1G-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK2103T100
MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
SCT3030KLGC11
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
RS3E095BNGZETB
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
