رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMH10T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMH10T2R-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
6760 قطع جديدة أصلية في المخزون
13523579
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMH10T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
56 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMH10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMH10T2RCT
EMH10T2R-ND
EMH10T2RTR
EMH10T2RDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PEMH10,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7750
DiGi رقم الجزء
PEMH10,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN1905FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
133
DiGi رقم الجزء
RN1905FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EMD12T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
IMD16AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD14T108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
