EMH75T2R
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

EMH75T2R

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

EMH75T2R-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

المخزون:

7400 قطع جديدة أصلية في المخزون
13523513
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

EMH75T2R المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMH75

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
وثائق الموثوقية

معلومات إضافية

الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMH75T2RTR
EMH75T2RCT
EMH75T2RDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

IMH5AT108

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

rohm-semi

EMF8T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

rohm-semi

EMH4T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMF24T2R

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6