رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMF24T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMF24T2R-DG
وصف:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
13523563
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMF24T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA, 150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz, 180MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMF24
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EMH10T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMD12T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
IMD16AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6