IMH2AT110
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IMH2AT110

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

IMH2AT110-DG

وصف:

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

المخزون:

13524163
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IMH2AT110 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
68 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SMT6
رقم المنتج الأساسي
IMH2

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IMH2AT110TR
IMH2AT110DKR
IMH2AT110CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RN4604(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1828
DiGi رقم الجزء
RN4604(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

IMD9AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

rohm-semi

UMA7NTR

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5

rohm-semi

IMD3AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

rohm-semi

UMB4NTN

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6