رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN4604(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN4604(TE85L,F)-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
المخزون:
1828 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891541
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN4604(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SM6
رقم المنتج الأساسي
RN4604
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN4604(TE85LF)TR
RN4604(TE85LF)DKR
RN4604(TE85LF)CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IMH3AT110
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
IMH3AT110-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMD12,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
75294
DiGi رقم الجزء
PUMD12,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2709,LF
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
RN2705JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2903,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
