رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6015ENJTL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6015ENJTL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS
المخزون:
4 قطع جديدة أصلية في المخزون
13527387
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6015ENJTL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
910 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LPTS
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
R6015
مواصفات تقنية ومستندات
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
R6015ENJTLTR
R6015ENJTLCT
R6015ENJTLDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK14G65W,RQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3525
DiGi رقم الجزء
TK14G65W,RQ-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB25N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
630
DiGi رقم الجزء
STB25N80K5-DG
سعر الوحدة
2.75
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ5E025SNTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
RD3S100CNTL1
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
RSR020P05FRATL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
