رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6086YNZ4C13
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6086YNZ4C13-DG
وصف:
NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G
المخزون:
568 قطع جديدة أصلية في المخزون
13001156
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6086YNZ4C13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
86A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V, 12V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
44mOhm @ 17A, 12V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6V @ 4.6mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5100 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
781W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247G
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
R6086
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
846-R6086YNZ4C13
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TP65H070LDG-TR
650 V 25 A GAN FET
SIRS5800DP-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
SQA409CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
