رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RQ6C065BCTCR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RQ6C065BCTCR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 6.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
المخزون:
13525366
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RQ6C065BCTCR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1520 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSMT6 (SC-95)
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
RQ6C065
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RQ6C065BCTCRDKR
RQ6C065BCTCRCT
RQ6C065BCTCRTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMN30XPAX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10315
DiGi رقم الجزء
PMN30XPAX-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RW1C015UNT2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
RQ5H020TNTL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
RS1G180MNTB
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
