الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RZE002P02TL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RZE002P02TL-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
المخزون:
103297 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525252
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RZE002P02TL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
115 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
EMT3
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
رقم المنتج الأساسي
RZE002
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RZE002P02TLDKR
RZE002P02TLTR
RZE002P02TLCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM3J36FS,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
468389
DiGi رقم الجزء
SSM3J36FS,LF-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMP2004TK-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
54254
DiGi رقم الجزء
DMP2004TK-7-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTA4151PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
183968
DiGi رقم الجزء
NTA4151PT1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
DMP22D6UT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
37646
DiGi رقم الجزء
DMP22D6UT-7-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6030ENZC8
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
RCX511N25
MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM
RSS105N03TB
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOP
RK3055ETL
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3