رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SH8K10SGZETB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SH8K10SGZETB-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/8.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 7A (Ta), 8.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
2475 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526269
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SH8K10SGZETB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Ta), 8.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.8nC @ 5V, 17.8nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660pF @ 10V, 830pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.4W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SH8K10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SH8K10SGZETBCT
SH8K10SGZETBDKR
SH8K10SGZETBTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SH8KA2TB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2172
DiGi رقم الجزء
SH8KA2TB1-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF7907TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
9522
DiGi رقم الجزء
IRF7907TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SP8M5FRATB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
SP8M5TB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
SH8K2TB1
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP