UT6MA3TCR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

UT6MA3TCR

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

UT6MA3TCR-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5A, 5.5A 2W Surface Mount HUML2020L8

المخزون:

14305 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525667
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

UT6MA3TCR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
-
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A, 5.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
59mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
460pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-PowerUDFN
حزمة جهاز المورد
HUML2020L8
رقم المنتج الأساسي
UT6MA3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
UT6MA3TCR HUML2020L8 TR Taping Spec

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
UT6MA3TCRDKR
UT6MA3TCRCT
UT6MA3TCRTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

SP8M3TB

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

rohm-semi

SH8K37GZETB

MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP

rohm-semi

SP8J3FU6TB

MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOP

rohm-semi

SH8M5TB1

MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP