رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZDX080N50
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZDX080N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
402 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524301
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZDX080N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1120 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
ZDX080
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
ZDX080N50CT
ZDX080N50CT-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDPF12N50T
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
942
DiGi رقم الجزء
FDPF12N50T-DG
سعر الوحدة
1.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R5013ANJTL
MOSFET N-CH 500V 13A LPTS
RAF040P01TCL
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
R6024KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
