رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD11N60DM2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD11N60DM2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
1905 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878721
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD11N60DM2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ DM2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
420mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
614 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
STD11
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
497-16925-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOD7S60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
4907
DiGi رقم الجزء
AOD7S60-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK560P60Y,RQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1593
DiGi رقم الجزء
TK560P60Y,RQ-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220AB
STN1NK80Z
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STD60N55F3
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
