رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD11N60M2-EP
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD11N60M2-EP-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12877097
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD11N60M2-EP المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™ M2-EP
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.75V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
390 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
STD11
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
497-16936-2
-1138-STD11N60M2-EPTR
497-16936-1
-1138-STD11N60M2-EPDKR
497-16936-6
-1138-STD11N60M2-EPCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTY8N70X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
49
DiGi رقم الجزء
IXTY8N70X2-DG
سعر الوحدة
1.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTY8N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
IXTY8N65X2-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP12NM50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP5N120
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
