STL16N65M2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STL16N65M2

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STL16N65M2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 7.5A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV

المخزون:

2550 قطع جديدة أصلية في المخزون
12877109
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STL16N65M2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ M2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
395mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
718 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
56W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (5x6) HV
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
STL16

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-15259-6
-497-15259-2
-497-15259-1
497-15259-1
497-15259-2
-497-15259-6

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STP33N60DM2

MOSFET N-CH 600V 24A TO220

stmicroelectronics

STL110N10F7

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

stmicroelectronics

STD5NK50Z-1

MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK

stmicroelectronics

STB60NF10-1

MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK