رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STF12NK80Z
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STF12NK80Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 10.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
12880704
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STF12NK80Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
750mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2620 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF12
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK6A60W,S4VX
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
45
DiGi رقم الجزء
TK6A60W,S4VX-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK9A60D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
44
DiGi رقم الجزء
TK9A60D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.77
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA80R650CEXKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
459
DiGi رقم الجزء
IPA80R650CEXKSA2-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STH80N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
STP12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
STD60N3LH5
MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
