رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STF18N60DM2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STF18N60DM2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
12945441
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STF18N60DM2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ DM2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF18
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6013VNXC7G
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1080
DiGi رقم الجزء
R6013VNXC7G-DG
سعر الوحدة
1.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA65R380E6XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
466
DiGi رقم الجزء
IPA65R380E6XKSA1-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA60R360P7SXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3734
DiGi رقم الجزء
IPA60R360P7SXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STL21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
STB10N95K5
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
STB32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
