رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STFI34NM60N
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STFI34NM60N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 29A I2PAKFP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
المخزون:
12878437
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STFI34NM60N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™ II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
29A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2722 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-281 (I2PAKFP)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
رقم المنتج الأساسي
STFI34N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
-497-12861-5
497-12861-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP34NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
458
DiGi رقم الجزء
STP34NM60N-DG
سعر الوحدة
5.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPI60R099CPXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
IPI60R099CPXKSA1-DG
سعر الوحدة
3.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPI60R125CPXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
490
DiGi رقم الجزء
IPI60R125CPXKSA1-DG
سعر الوحدة
3.00
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STK38N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
STH6N95K5-2
MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
STL9N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
