رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STI18N65M5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STI18N65M5-DG
وصف:
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
المخزون:
348 قطع جديدة أصلية في المخزون
12875459
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STI18N65M5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ V
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1240 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I2PAK
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
STI18N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-13272-5
-497-13272-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPI60R190C6XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
495
DiGi رقم الجزء
IPI60R190C6XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.43
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP18N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
896
DiGi رقم الجزء
STP18N65M5-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP40NF12
MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB
STW13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
