الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP25NM60N
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP25NM60N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12878396
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP25NM60N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™ II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2400 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP25N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
STx25NM60N(-1)
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-5020-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOT25S65L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOT25S65L-DG
سعر الوحدة
1.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCPF20N60
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
843
DiGi رقم الجزء
FCPF20N60-DG
سعر الوحدة
2.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT20S60L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
2789
DiGi رقم الجزء
AOT20S60L-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP60R125CPXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4944
DiGi رقم الجزء
IPP60R125CPXKSA1-DG
سعر الوحدة
3.00
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCP20N60
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3963
DiGi رقم الجزء
FCP20N60-DG
سعر الوحدة
2.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD4NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
STB33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
STP31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
STB200NF04-1
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK