رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP3LN62K3
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP3LN62K3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 620 V 2.5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
964 قطع جديدة أصلية في المخزون
12872613
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP3LN62K3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH3™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
620 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
386 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP3LN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-11231-5
-497-11231-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFBE30PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2597
DiGi رقم الجزء
IRFBE30PBF-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTP4N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTP4N80P-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF2N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
729
DiGi رقم الجزء
STF2N62K3-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STF6N95K5
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A
PHP176NQ04T,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
STFH24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
