STU6N65M2-S
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STU6N65M2-S

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STU6N65M2-S-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

12876786
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STU6N65M2-S المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ M2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
226 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
STU6N65

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STU6N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
543
DiGi رقم الجزء
STU6N65M2-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STP34NM60N

MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3

stmicroelectronics

STL75N8LF6

MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT

stmicroelectronics

STH240N75F3-6

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6

stmicroelectronics

STP15NK50Z

MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB