CSD18542KTTT
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

CSD18542KTTT

Product Overview

المُصنّع:

Texas Instruments

رقم الجزء DiGi Electronics:

CSD18542KTTT-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 200A (Ta), 170A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)

المخزون:

288 قطع جديدة أصلية في المخزون
12791168
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

CSD18542KTTT المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200A (Ta), 170A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5070 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (DDPAK-3)
العبوة / العلبة
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
رقم المنتج الأساسي
CSD18542

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
296-44124-2
296-44124-1
296-44124-6

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
2 (1 Year)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
texas-instruments

CSD17318Q2

MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON

texas-instruments

CSD25484F4

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

microchip-technology

DN2540N5-G

MOSFET N-CH 400V 500MA TO220-3

microchip-technology

DN2625K4-G

MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252