رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC6139,T2F(M
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC6139,T2F(M-DG
وصف:
TRANS NPN 160V 1.5A MSTM
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM
المخزون:
12889214
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC6139,T2F(M المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1.5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
140 @ 100mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
SC-71
حزمة جهاز المورد
MSTM
رقم المنتج الأساسي
2SC6139
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC6139T2F(M
2SC6139T2FM
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
TTC004B,Q
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TTC004B,Q-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA1761,F(J
TRANS PNP 50V 3A TO92MOD
BC847CW/MIF
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
TBC847B,LM
TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
