2SK3309(TE24L,Q)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2SK3309(TE24L,Q)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

2SK3309(TE24L,Q)-DG

وصف:

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
وصف تفصيلي:
N-Channel 450 V 10A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-220SM

المخزون:

12889192
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2SK3309(TE24L,Q) المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
450 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
920 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
65W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-220SM
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
2SK3309

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

TK32E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 60A TO-220

toshiba-semiconductor-and-storage

TK4A60DB(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK4P50D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20A60W,S5VX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS